Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / BSM150GB120DN2
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 210 A
Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Pd - рассеивание мощности 1.25 kW
Упаковка / блок Half Bridge2
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
