APTLGT400A608G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A

Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 1.25 kW

Упаковка / блок LP8

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk