Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IXA60IF1200NA
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 88 A
Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
Pd - рассеивание мощности 290 W
Упаковка / блок SOT-227B-4
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару