Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FS75R12KE3_B9
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация IGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности 355 W
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
