APTGLQ80HR120CT3G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual Common Emitter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV, 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V, 1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A, 100 A

Ток утечки затвор-эмиттер 240 nA, 600 nA

Pd - рассеивание мощности 500 W, 250 W

Упаковка / блок Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube