FF150R12MS4G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 225 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 1250 W

Упаковка / блок Econo D

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray