FB30R06W1E3

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Hex

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 39 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 115 W

Упаковка / блок EASY1B

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tray