MKI75-06A7

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Quad

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 90 A

Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA

Pd - рассеивание мощности 280 W

Упаковка / блок E2-12

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос