Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / IXGN400N60B3
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range PT IGBTs
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 430 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок SOT-227B-4
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
