APTGT200A170D3G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 310 A

Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA

Pd - рассеивание мощности 1.25 kW

Упаковка / блок D3-11

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk