Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / VS-GA75TS120UPBF
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 110 A
Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Упаковка / блок INT-A-PAK
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
