Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / VS-GT200TP065N
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт Неизвестно
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 221 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Pd - рассеивание мощности 600 W
Упаковка / блок INT-A-PAK
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
