Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / MG17100D-BN4MM
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A IGBT
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 690 W
Упаковка / блок Package D
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
