Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FF450R07ME4_B11
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 650V
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 560 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Pd - рассеивание мощности 1450 W
Упаковка / блок Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
