APTGLQ200HR120G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual Common Emitter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV, 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V, 1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A, 150 A

Ток утечки затвор-эмиттер 480 nA, 400 nA

Pd - рассеивание мощности 1 kW, 340 W

Упаковка / блок SP6

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 100 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube