Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / BSM50GP60
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 70 A
Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
Pd - рассеивание мощности 250 W
Упаковка / блок EconoPIM2
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
