Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / BSM100GB120DLCK
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 205 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Pd - рассеивание мощности 835 W
Упаковка / блок 32 mm
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
