APTGLQ150A120TG

Технология -

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 250 A

Ток утечки затвор-эмиттер 240 nA

Pd - рассеивание мощности 750 W

Упаковка / блок SP4

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube