APTGT750U60D4G

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1 kA

Ток утечки затвор-эмиттер 3.1 uA

Pd - рассеивание мощности 2.3 kW

Упаковка / блок D4-5

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Bulk