Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / FP20R06YE3_B4
Нет ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Характеристики
Технология Неизвестно
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация IGBT-Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно
Pd - рассеивание мощности 170 W
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
