Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / A1C15S12M3-F
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
Характеристики
Технология Si
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Converter Inverter Brake
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
Pd - рассеивание мощности 142.8 W
Упаковка / блок ACEPACK1
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
