Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) / APTGLQ25H120T2G
Есть ROHS
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC20011
Характеристики
Технология -
Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
Pd - рассеивание мощности 165 W
Упаковка / блок SP2
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Квалификация Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
