STGIPS10K60T-H

Есть ROHS

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3-phase inverter 10A 600V short-circuit

Характеристики

Технология Неизвестно

Продукт IGBT Silicon Modules

Конфигурация 3-Phase

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10 A

Ток утечки затвор-эмиттер Неизвестно

Pd - рассеивание мощности 33 W

Упаковка / блок SDIP-25

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 125 C

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос