Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / PBSS4160PANP,115
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DFN-2020-6
Полярность транзистора NPN, PNP
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 90 mV, - 125 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 175 MHz, 125 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
