Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / NSVMMBT6520LT1G
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-236-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 350 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 350 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 500 mV
Максимальный постоянный ток коллектора - 500 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 40 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MMBT6520L
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
