SS8050-G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно