2N3637L/TR

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-5-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 175 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 175 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V

Максимальный постоянный ток коллектора 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно