2SCR523EBTL

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок EMT-3F-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.1 V

Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2SCR523EB