Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SC4135T-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-251-3
Полярность транзистора NPN, PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V, - 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V, - 120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 130 mV, - 220 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A, - 3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SC4135
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару