NJVNJD1718T4G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DPAK-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 200 mV

Максимальный постоянный ток коллектора - 3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия NJD1718