2N4300

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-39-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Серия Неизвестно