EMX1FHAT2R

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-563-6

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Неизвестно

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 400 mV

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 180 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно