BC856BMBYL

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-1006-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 200 mV

Максимальный постоянный ток коллектора - 100 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно