BC817DPN,125

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-457-6

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 500 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия BC817