Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / NJVMJD50T4G
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 500 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 10 MHz
Минимальная рабочая температура - 65 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MJD50
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
