SMMBT5401LT1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 150 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 160 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора - 500 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MMBT5401L