TBC847B,LM

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 170 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 150 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия TBC8X7