Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / NSVMMBT6429LT1G
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 55 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 700 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MMBT6429L
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
