SMMBTH10-4LT3G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 800 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MMBTH10L