2N3495

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-39-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.35 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия 2N3495