2SB1201S-E

Технология Неизвестно

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-251-3

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV, - 300 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 4 A, - 4 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2SB1201