Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SA2169-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-251-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 290 mV
Максимальный постоянный ток коллектора - 13 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 130 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SA2169
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару