Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / SMMBT3904TT1G
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-416-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
Минимальная рабочая температура - 65 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия SMMBT3904TT1G
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару