MJD45H11T4G

Технология SMD/SMT

Вид монтажа TO-252-3

Упаковка / блок PNP

Полярность транзистора Single

Конфигурация 80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 5 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 8 A

Максимальный постоянный ток коллектора 20 W

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 90 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MJD45H11