BSS64AT116

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 80 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 140 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно