ECH8501-TL-H

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок ECH-8

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V, - 30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 75 mV, - 100 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 30 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 260 MHz, 280 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия ECH8501