Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / MMBT5551-TP
Характеристики
Технология SMD/SMT
Вид монтажа SOT-23-3
Упаковка / блок NPN
Полярность транзистора Single
Конфигурация 160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 180 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) Неизвестно
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 A
Максимальный постоянный ток коллектора 300 mW
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MMBT5551
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
