2N5822

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-92-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 70 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.75 V

Максимальный постоянный ток коллектора 750 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно