SPZT651T1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-223-4

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 2 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 75 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия PZT651