TS13002ACT A3G

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-92-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 9 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора 0.3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 4 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно